Estudo Teórico Computacional do Nitreto de Zircônio e Cálculo das Propriedades Elétricas via formalismo DFT.

Devido suas propriedades singulares, o nitreto de zircônio (ZrN) possui importantes aplicações, por exemplo, é utilizado como revestimento para núcleos de reatores, dado a sua resistência à corrosão em temperaturas elevadas [1, 2]. A importância de sua versatilidade de usos, torna fundamental obter resultados cada vez mais precisos quanto o estudo de sua estrutura atômica e consequentemente suas propriedades intrínsecas [3, 4]. Nesta pesquisa, foi desenvolvido um estudo via simulação computacional das propriedades eletrônicas de filmes finos do ZrN (produzidos por magnetron sputtering a 20ºC e a 500ºC) utilizando a Teoria do Funcional da Densidade (DFT). As análises foram feitas a partir de resultados obtidos por Difração de Raios X (DRX) desses filmes. Para isso, foi realizado refinamento Rietveld do DRX de cada filme, para a obtenção dos parâmetros de rede. Após isso, foi feita a alteração da estrutura cristalina CFC do ZrN através do programa encifer. A otimização da mesma foi realizada no código CASTEP, no qual foi calculado a estrutura de bandas e a densidade de estados total e parcial.