Caracterização Mott-Schottky em Célula Fotovoltaica de Silício

Células fotovoltaicas de silício são feitas pela junção p-n a partir semicondutor de silício. Somente a existência da junção p-n permite que a células convertam a radiação solar em eletricidade. Sobre condições de intempéries ou acidentes, células de silício podem ser danificadas e muitas vezes os danos destroem a capacidade das células gerarem eletricidade. Mott-Schottky é uma técnica eletroquímica que tem sido usada para identificação de materiais semicondutores tipo n e tipo p [1,2]. Neste trabalho, células de silício quebradas sem camada antirreflexo foram submetidas à análise de Mott-Schottky. Frações das células sem camada antirreflexo foram usadas como eletrodo de trabalho em célula eletroquímica com configuração de três eletrodos (eletrodo de trabalho, eletrodo de referência: Ag/AgCl e contraeletrodo: placa de platina). A inclinação da reta ilustrada no gráfico (Figura 1) indica à presença de semicondutor tipo p. A análise de Mott-Schottky revelou que a perda da camada antirreflexo também destruiu o lado n da junção p-n da célula. A partir dos resultados é possível inferir que a técnica Mott-Schottky é rápida, fácil e de baixo custo apresentando um potencial para ser usada como ferramenta na análise de células solares de silício danificadas.